Matsushita Electric ha annunciato nei giorni scorsi lo sviluppo del primo sensore d’immagine Mos (Metal Oxide Semiconductor) al mondo da 2 milioni di pixel nel formato da 1/4 di pollice, presentato nel corso della International Solid-State Circuits Conference di San Francisco, che chiude oggi.Proprio in virtù delle sue ridotte dimensioni e dell’alta risoluzione offerta, ma anche e soprattutto della ridotta quantità di energia di cui necessita per funzionare, il sensore rappresenta la soluzione ideale per i dispositivi mobili e verrà utilizzato per i cellulari con fotocamera digitale integrata. Il produttore afferma che grazie alle caratteristiche costruttive, il chip consuma fino a 1 volt in meno rispetto ai convenzionali sensori Ccd.